在晶體管、集成電路生產(chǎn)中，純水主要用于清洗硅片，另有少量用于藥液配制，硅片氧化的水汽源，部分設(shè)備的冷卻水，配制電鍍液等。集成電路生產(chǎn)過(guò)程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片，水質(zhì)的好壞與集成電路的產(chǎn)品質(zhì)量及生產(chǎn)成品率關(guān)系很大。

    水中的堿金屬（K、Na等）會(huì)使絕緣膜耐壓不良，重金屬（Au、Ag、Cu等）會(huì)使PN結(jié)耐壓降低，Ⅲ族元素（B、Al、Ga等）會(huì)使N型半導(dǎo)體特性惡化，Ⅴ族元素（P、As、Sb等）會(huì)使P型半導(dǎo)體特性惡化，水中細(xì)菌高溫碳化后的磷（約占灰分的20-50%）會(huì)使P型硅片上的局部區(qū)域變?yōu)?/span>N型硅而導(dǎo)致器件性能變壞，水中的顆粒（包括細(xì)菌）如吸附在硅片表面，就會(huì)引起電路短路或特性變差。

     集成電路（DRAM）集成度16K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路（DRAM）集成度64K的要求是電阻率16兆歐以上，集成電路（DRAM）集成度256K的要求是電阻率≥17 MΩ?cm，集成電路（DRAM）集成度1M的要求電阻率≥18MΩ?cm，集成電路（DRAM）集成度4M的要求電阻率≥18MΩ?cm，集成電路（DRAM）集成度16M的要求電阻率≥18.2MΩ?cm.

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